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瑞波光電獲得OFWEEK激光元件、配件及組件技術創(chuàng)新獎
發(fā)布時間:2021-09-25
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 2021年9月24日,OFweek Laser Awards 2021行業(yè)年度頒獎盛典在深圳大中華喜來登酒店舉行。瑞波光電憑借開發(fā)的大功率638nm紅光芯片成功贏得“OFWEEK激光元件、配件及組件技術創(chuàng)新獎”。
 
 
 獲獎產品:大功率638nm 紅光芯片

 
    激光顯示能夠實現大色域、雙高清(幾何、顏色)視頻圖像顯示,被稱為“人類視覺史上的革命”,是國際顯示領域的研究熱點和發(fā)展方向。紅綠藍三基色半導體激光器(LD)是激光顯示的核心器件,受到國內外的極大關注。 除此之外,激光在照明上的應用近年來也得到飛速發(fā)展,包括汽車大燈、城市景觀照明等,但目前RGB激光芯片均100%依賴進口,針對上述應用,瑞波光電從2016年開始投入大量資源進行大功率638nm 紅光芯片開發(fā),解決了從外延設計、芯片設計、芯片流片、芯片封裝等重大難題, 實現了大功率638nm 紅光芯片的規(guī)?;慨a,填補了國內空白。      
                                           
    瑞波光電目前成功開發(fā)出0.5W/1W/2.5W等不同規(guī)格的638nm 紅光芯片,以1W 638nm 紅光芯片RB-638A-110-1-1.5-SE為例,在工作電流1.4A的情況下輸出功率達到1W,光電轉換效率34%,斜率效率為1.1W/A,溫漂系數0.18nm/℃,接近世界先進水平。           
        
    產品創(chuàng)新點1:改善 AlGaInP/GaInP 材料能帶結構的固有缺陷,利用高應變量子阱實現對載流子空間上的強限制,抑制載流子的泄漏,實現高光電轉換效率的紅光LD 材料。創(chuàng)新點2:開發(fā)工藝可靠的量子阱混雜技術,實現高可靠性無吸收腔面的低成本制作,在根本上解決紅光LD芯片的可靠性差的問題。     
                                                       
  入選理由: 本產品研發(fā)突破了外延結構與器件結構設計以及高功率638nm激光芯片工藝等關鍵技術,并成功實現了產業(yè)化和商業(yè)化,擁有廣闊的應用空間,填補了國內空白。


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