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 2021年9月24日，OFweek Laser Awards 2021行業(yè)年度頒獎盛典在深圳大中華喜來登酒店舉行。瑞波光電憑借開發(fā)的大功率638nm紅光芯片成功贏得“OFWEEK激光元件、配件及組件技術創(chuàng)新獎”。

 

 

 獲獎產品：大功率638nm 紅光芯片

 

    激光顯示能夠實現大色域、雙高清（幾何、顏色）視頻圖像顯示，被稱為“人類視覺史上的革命”，是國際顯示領域的研究熱點和發(fā)展方向。紅綠藍三基色半導體激光器（LD）是激光顯示的核心器件，受到國內外的極大關注。 除此之外，激光在照明上的應用近年來也得到飛速發(fā)展，包括汽車大燈、城市景觀照明等，但目前RGB激光芯片均100%依賴進口，針對上述應用，瑞波光電從2016年開始投入大量資源進行大功率638nm 紅光芯片開發(fā)，解決了從外延設計、芯片設計、芯片流片、芯片封裝等重大難題， 實現了大功率638nm 紅光芯片的規(guī)?；慨a，填補了國內空白。      

                                           

    瑞波光電目前成功開發(fā)出0.5W/1W/2.5W等不同規(guī)格的638nm 紅光芯片，以1W 638nm 紅光芯片RB-638A-110-1-1.5-SE為例，在工作電流1.4A的情況下輸出功率達到1W，光電轉換效率34%，斜率效率為1.1W/A，溫漂系數0.18nm/℃，接近世界先進水平。           

        

    產品創(chuàng)新點1：改善 AlGaInP/GaInP 材料能帶結構的固有缺陷，利用高應變量子阱實現對載流子空間上的強限制，抑制載流子的泄漏，實現高光電轉換效率的紅光LD 材料。創(chuàng)新點2：開發(fā)工藝可靠的量子阱混雜技術，實現高可靠性無吸收腔面的低成本制作，在根本上解決紅光LD芯片的可靠性差的問題。     

                                                       

  入選理由： 本產品研發(fā)突破了外延結構與器件結構設計以及高功率638nm激光芯片工藝等關鍵技術，并成功實現了產業(yè)化和商業(yè)化，擁有廣闊的應用空間，填補了國內空白。